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| 品番 | JAN1N6461US |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| タイプ | Zener |
| 単方向チャネル | 1 |
| 双方向チャネル | - |
| 電圧 - 逆スタンドオフ（Typ） | 5V |
| 電圧 - ブレークダウン（最小） | 5.6V |
| 電圧 - クランプ（最大）@IP | 9V |
| 電流 - ピークパルス（10 /1000μs） | 315A (8/20µs) |
| パワー - ピークパルス | 500W |
| 電力線保護 | No |
| アプリケーション | General Purpose |
| 容量@周波数 | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, B |
| サプライヤデバイスパッケージ | B, SQ-MELF |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | 詳細 |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | 詳細 |