APTSM120AM55CT1AG

POWER MODULE - SIC
APTSM120AM55CT1AG P1
APTSM120AM55CT1AG P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ APTSM120AM55CT1AG

品番
APTSM120AM55CT1AG
メーカー
Microsemi Corporation
説明
POWER MODULE - SIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- APTSM120AM55CT1AG PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 APTSM120AM55CT1AG
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 Silicon Carbide (SiC)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 74A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 2mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 272nC @ 20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5120pF @ 1000V
電力 - 最大 470W
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP1
サプライヤデバイスパッケージ SP1

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