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| 品番 | APTM120DA30CT1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 560nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14560pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 657W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 360 mOhm @ 25A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | 0 | 詳細 | |
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APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 4 | 詳細 |
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APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 46 | 詳細 |
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APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 0 | 詳細 | |
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APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | 0 | 詳細 | |
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APTM100AM90FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100DA18CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | - | 0 | 詳細 |
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APTM100DA18T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 | 0 | 詳細 |