APTM10TDUM19PG

MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
APTM10TDUM19PG P1
APTM10TDUM19PG P1
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Microsemi Corporation ~ APTM10TDUM19PG

品番
APTM10TDUM19PG
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
APTM10TDUM19PG.pdf APTM10TDUM19PG PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 APTM10TDUM19PG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 70A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 200nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5100pF @ 25V
電力 - 最大 208W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP6
サプライヤデバイスパッケージ SP6-P

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