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品番 | APT40SM120B |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 41A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 130nC @ 20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2560pF @ 1000V |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 273W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |