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| 品番 | APT33N90JCU3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 270nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6800pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 290W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | 詳細 | |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | 詳細 |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | 詳細 |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | 詳細 |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | 詳細 |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | 詳細 |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | 詳細 |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | 詳細 |
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APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | 詳細 |
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APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | 詳細 |