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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | APT30GS60BRDQ2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 54A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 113A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| 電力 - 最大 | 250W |
| スイッチングエネルギー | 570µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 145nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 16ns/360ns |
| テスト条件 | 400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | 25ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | 詳細 | |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | 詳細 |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | 詳細 |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | 詳細 |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | 詳細 |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | 詳細 |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | 詳細 |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | 詳細 |
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APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | 詳細 |
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APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | 詳細 |