APT20M19JVR

MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
APT20M19JVR P1
APT20M19JVR P1
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Microsemi Corporation ~ APT20M19JVR

品番
APT20M19JVR
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
APT20M19JVR.pdf APT20M19JVR PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 APT20M19JVR
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 112A
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 495nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11640pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 500W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 19 mOhm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC

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