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| 品番 | APT100GN60LDQ4G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 229A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 300A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.85V @ 15V, 100A |
| 電力 - 最大 | 625W |
| スイッチングエネルギー | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 600nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 31ns/310ns |
| テスト条件 | 400V, 100A, 1 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | 詳細 |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | 詳細 |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | 詳細 |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | 詳細 |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | 詳細 |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | 詳細 |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | 詳細 | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | 詳細 |