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品番 | 2N5114 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
電圧 - ブレークダウン(V(BR)GSS) | 30V |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - ドレイン(Idss)Vds(Vgs = 0) | 90mA @ 18V |
電流ドレイン(Id) - 最大 | - |
電圧 - カットオフ(VGSオフ)@ Id | 10V @ 1nA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 25pF @ 15V |
抵抗 - RDS(オン) | 75 Ohm |
電力 - 最大 | 500mW |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-18 (TO-206AA) |