MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
MA4AGBLP912 P1
MA4AGBLP912 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

M/A-Com Technology Solutions ~ MA4AGBLP912

品番
MA4AGBLP912
メーカー
M/A-Com Technology Solutions
説明
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
MA4AGBLP912.pdf MA4AGBLP912 PDF online browsing
家族
ダイオード - RF
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品番 MA4AGBLP912
部品ステータス Active
ダイオードタイプ PIN - Single
電圧 - ピークリバース(最大) 50V
電流 - 最大 40mA
容量Vr、F 0.03pF @ 5V, 1MHz
抵抗値If、F 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
消費電力(最大) -
動作温度 -65°C ~ 125°C (TJ)
パッケージ/ケース -
サプライヤデバイスパッケージ -

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