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品番 | IXTY1R4N120PHV |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.4A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 13 Ohm @ 700mA, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 24.8nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±30V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 666pF @ 25V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 86W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |