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品番 | IXTP1N80 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 800V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 750mA (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 25µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 8.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 220pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 40W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 11 Ohm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |