IXTA3N100D2HV

MOSFET N-CH
IXTA3N100D2HV P1
IXTA3N100D2HV P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

IXYS ~ IXTA3N100D2HV

品番
IXTA3N100D2HV
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXTA3N100D2HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 37.5nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1020pF @ 25V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263HV
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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