IXTA1N170DHV

MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
IXTA1N170DHV P1
IXTA1N170DHV P1
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IXYS ~ IXTA1N170DHV

品番
IXTA1N170DHV
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTA1N170DHV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1700V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 47nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3090pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 290W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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