IXFT58N20Q

MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
IXFT58N20Q P1
IXFT58N20Q P2
IXFT58N20Q P1
IXFT58N20Q P2
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IXYS ~ IXFT58N20Q

品番
IXFT58N20Q
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IXFT58N20Q
部品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 58A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 140nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3600pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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