IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
IXFT20N100P P1
IXFT20N100P P1
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IXYS ~ IXFT20N100P

品番
IXFT20N100P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IXFT20N100P PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFT20N100P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 126nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7300pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 660W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 570 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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