IXFH12N100F

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
IXFH12N100F P1
IXFH12N100F P1
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IXYS ~ IXFH12N100F

品番
IXFH12N100F
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXFH12N100F.pdf IXFH12N100F PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXFH12N100F
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 4mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 77nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2700pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-3P-3 Full Pack

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