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| 品番 | SPI100N08S2-07 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 75V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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SPI100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK | 0 | 詳細 | |
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SPI100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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SPI100N03S2L03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 | 0 | 詳細 | |
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SPI100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK | - | 0 | 詳細 |
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SPI10N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK | 0 | 詳細 | |
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SPI10N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK | 0 | 詳細 |