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品番 | SPB21N10 G |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 44µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 38.4nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 865pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 90W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 80 mOhm @ 15A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |