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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | SDT10S30 |
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部品ステータス | Obsolete |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 300V |
電流 - 平均整流(Io) | 10A (DC) |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.7V @ 10A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 0ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 200µA @ 300V |
容量Vr、F | 600pF @ 0V, 1MHz |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-220-2 |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-2 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |