IRLMS2002TRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
IRLMS2002TRPBF P1
IRLMS2002TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLMS2002TRPBF

品番
IRLMS2002TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLMS2002TRPBF.pdf IRLMS2002TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLMS2002TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.5A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 22nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1310pF @ 15V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Micro6™(SOT23-6)
パッケージ/ケース SOT-23-6

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