IRFR3711TRPBF

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
IRFR3711TRPBF P1
IRFR3711TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFR3711TRPBF

品番
IRFR3711TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFR3711TRPBF.pdf IRFR3711TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFR3711TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 44nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2980pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6.5 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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