IRFH5207TR2PBF

MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
IRFH5207TR2PBF P1
IRFH5207TR2PBF P2
IRFH5207TR2PBF P1
IRFH5207TR2PBF P2
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Infineon Technologies ~ IRFH5207TR2PBF

品番
IRFH5207TR2PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFH5207TR2PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 75V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 13A (Ta), 71A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 59nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2474pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.6W (Ta), 105W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9.6 mOhm @ 43A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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