IRFH5053TRPBF

MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
IRFH5053TRPBF P1
IRFH5053TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH5053TRPBF

品番
IRFH5053TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRFH5053TRPBF.pdf IRFH5053TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFH5053TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.3A (Ta), 46A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.9V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 36nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1510pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 18 mOhm @ 9.3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (5x6) Single Die
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN

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