画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | IRFH5025TRPBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2150pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 5.7A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-QFN |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | 詳細 | |
 |
IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | 詳細 |