IRFH4209DTRPBF

MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
IRFH4209DTRPBF P1
IRFH4209DTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH4209DTRPBF

品番
IRFH4209DTRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFH4209DTRPBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 44A (Ta), 260A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 74nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4620pF @ 13V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.1 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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