IRFB812PBF

MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
IRFB812PBF P1
IRFB812PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFB812PBF

品番
IRFB812PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRFB812PBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 810pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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