IRF8308MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 27A MX
IRF8308MTR1PBF P1
IRF8308MTR1PBF P2
IRF8308MTR1PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF8308MTR1PBF

品番
IRF8308MTR1PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 27A MX
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF8308MTR1PBF.pdf IRF8308MTR1PBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF8308MTR1PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 27A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.35V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4404pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 mOhm @ 27A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MX

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