IRF7815PBF

MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
IRF7815PBF P1
IRF7815PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7815PBF

品番
IRF7815PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF7815PBF.pdf IRF7815PBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF7815PBF
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 150V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 38nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1647pF @ 75V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 43 mOhm @ 3.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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