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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IRF7526D1TR |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 11nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 180pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 1.25W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 200 mOhm @ 1.2A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |