IRF6898MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
IRF6898MTR1PBF P1
IRF6898MTR1PBF P2
IRF6898MTR1PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF6898MTR1PBF

品番
IRF6898MTR1PBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF6898MTR1PBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Ta), 213A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 100µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 62nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5435pF @ 13V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) 2.1W (Ta), 78W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.1 mOhm @ 35A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MX
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MX

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