IRF6712STRPBF

MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
IRF6712STRPBF P1
IRF6712STRPBF P2
IRF6712STRPBF P1
IRF6712STRPBF P2
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Infineon Technologies ~ IRF6712STRPBF

品番
IRF6712STRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRF6712STRPBF.pdf IRF6712STRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF6712STRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17A (Ta), 68A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.4V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1570pF @ 13V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.9 mOhm @ 17A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ SQ
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric SQ

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