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| 品番 | IRF6645TRPBF |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.9V @ 50µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 890pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ SJ |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric SJ |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 2918 | 詳細 | |
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IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | 詳細 |
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