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品番 | IRF6618TRPBF |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Ta), 170A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.35V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 65nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5640pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT |