画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IRF6613TR1 |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Ta), 150A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.25V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 63nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5950pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.4 mOhm @ 23A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MT |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MT |