IRF6609

MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
IRF6609 P1
IRF6609 P2
IRF6609 P1
IRF6609 P2
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IRF6609

品番
IRF6609
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF6609
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 31A (Ta), 150A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.45V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 69nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6290pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2 mOhm @ 31A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MT
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MT

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