画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IRF5804TR |
---|---|
部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 21nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 680pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 198 mOhm @ 2.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro6™(TSOP-6) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |