IRF1902GPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
IRF1902GPBF P1
IRF1902GPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF1902GPBF

品番
IRF1902GPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IRF1902GPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRF1902GPBF
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.2A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id 700mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 310pF @ 15V
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs 85 mOhm @ 4A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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