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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IRF1902GPBF |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | 700mV @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 310pF @ 15V |
Vgs(最大) | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |