IPW80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247
IPW80R280P7XKSA1 P1
IPW80R280P7XKSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPW80R280P7XKSA1

品番
IPW80R280P7XKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPW80R280P7XKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 360µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1200pF @ 500V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 101W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 280 mOhm @ 7.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3

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