IPT012N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
IPT012N06NATMA1 P1
IPT012N06NATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPT012N06NATMA1

品番
IPT012N06NATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPT012N06NATMA1.pdf IPT012N06NATMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPT012N06NATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 240A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.3V @ 143µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 124nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9750pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 214W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.2 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース 8-PowerSFN

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