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品番 | IPS05N03LB G |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 90A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 40µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 25nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3200pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 94W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 5 mOhm @ 60A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3 |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |