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BOM

IPS03N03LA G

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPS03N03LA G
IPS03N03LA G P1
IPS03N03LA G P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ IPS03N03LA G

品番
IPS03N03LA G
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPS03N03LA G.pdf IPS03N03LA G PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPS03N03LA G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 25V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 90A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 70µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 41nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5200pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 115W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.4 mOhm @ 60A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak

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