画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPP147N12N3GXKSA1 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 120V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 56A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 14.7 mOhm @ 56A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 61µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3220pF @ 60V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 107W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |