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| 品番 | IPP139N08N3 G |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 33µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 25nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1730pF @ 40V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 79W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 13.9 mOhm @ 45A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO-220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPP139N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3 | 0 | 詳細 | |
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IPP13N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO-220 | 0 | 詳細 |