IPP020N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
IPP020N06NAKSA1 P1
IPP020N06NAKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPP020N06NAKSA1

品番
IPP020N06NAKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPP020N06NAKSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPP020N06NAKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 29A (Ta), 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.8V @ 143µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 106nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 7800pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 214W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3

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