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品番 | IPL60R650P6SATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.7A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 200µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 12nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 557pF @ 100V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 56.8W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-ThinPak (5x6) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |