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品番 | IPI80P04P4L06AKSA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.2V @ 150µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 104nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6580pF @ 25V |
Vgs(最大) | +5V, -16V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 88W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3-1 |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |