IPI120N04S401AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
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Infineon Technologies ~ IPI120N04S401AKSA1

品番
IPI120N04S401AKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IPI120N04S401AKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 140µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 176nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 14000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO262-3
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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