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品番 | IPI024N06N3GHKSA1 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 196µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 275nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 23000pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 250W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |